美科技创新人士 移民占1/3
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(法新社华盛顿24日电) 美国最新研究破除一般人对科技业的许多迷思,例如有高达1/3的科技「创新人士」其实非本地出生。
根据华府智库资讯技术及创新基金会(Information Technology and Innovation Foundation)今天公布的研究结果,移民占美国科技创新开发人士比例达35.5%。
研究发现,不过另外1成本地出生的创新人士,至少有1名双亲在海外出生。
作者之一的研究员奈杰(Adams Nager)表示:「大家可能以为科技创新由天才型的大学辍学生在创投公司发起,例如比尔盖兹(Bill Gates)和祖克柏(MarkZuckerberg)等。」
「事实上,美国的创新人士更可能是拥有高学历、在大企业耕耘多年的移民。」(译者:中央社林仟懿)
© 2016 AFP